C navigate flase agus locht
Iniúchadh amhairc agus pacáistiúcháin
Bheart Meastóireacht Feidhmíochta Leictreach
Seoladh Ríomhphoist Seirbhíse:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Request Quote
(Seoltar amárach)
*Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
5.0 / 5.0
- (94 Rátálacha)
IPP041N12N3GXKSA1
Léargas ar an Táirge
12803539
Uimhir Páirte
IPP041N12N3GXKSA1-DGDéantóir
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Cur síos
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Stoc
200457 Píosaí Nua Dháta Ar Fáil
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Líon
Íoslaghdú 1
Íoslaghdú 1
Ceannach agus fiosrúchán
Barántas agus Filleanna
Conas Uarú a Ordú
Lois & Seachad
Árachas Cáilíochta
Gealltanas Cáilíochta 365 Lá - Gabháil Iomlán ar Gachan Roinnt
Athbhreithniú nó Malartú 90 Lá - Roinní lochtacha? Níl aon fhadhb.
Bainistíocht theorainn, Órdaigh anois - Faigh páirteanna iontaofa gan a bheith buartha.
Loingseoireacht Domhanda & Pacáistiú Shlánaitheach
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Pacáistiú Frith-SEA 100% ESD
Rianú i glórach do Gach Ordú
Íocaíocht Shlán agus Inathraitheach
Cárta Creidmheasa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Cuirbheamas Trádála (T/T) agus níos mó
Gach íocaíocht roinnte le hárachas slándála
IPP041N12N3GXKSA1 Saintréithe Teicniúla
Catagóir
Transistóireacht, FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Pacáistiú
Tube
Sraith
OptiMOS™
Stádas Táirge
Active
Cineál FET
N-Channel
Teicneolaíocht
MOSFET (Metal Oxide)
Draenáil go Voltas Foinse (Vdss)
120 V
Reatha - Draein Leanúnach (ID) @ 25°C
120A (Tc)
voltas tiomána (max rds ar, min rds ar)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Uasmhéid) @ Id
4V @ 270µA
Muirear Geata (Qg) (Uasmhéid) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Uasmhéid)
±20V
Toilleas Ionchurtha (Ciss) (Uasmhéid) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Gné FET
-
Diomailt Cumhachta (Uasmhéid)
300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraí
PG-TO220-3
Pacáiste / Cás
TO-220-3
Bunuimhir Táirge
IPP041
Ríomhleabhar & Doiciméid
Sonraí Teicniúla
Íoslódáil IPP041N12N3GXKSA1 Sonraíocht Táirge (PDF)
Faisnéis HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Bileoga eolais
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Rangú Comhshaoil & Eisíoc
Stádas RoHS
ROHS3 Compliant
Leibhéal Íogaireachta Taise (MSL)
1 (Unlimited)
Stádas REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUSName
8541.29.0095
Tuilleadh Eolais
Pacáiste Caighdeánach
50
Ainmneacha Eile
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Ceisteanna Coitianta (Ceist FC)
Cad iad phríomhnótaí mhóra an MOSFET Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPP041N12N3GXKSA1)?
Tacaíonn an MOSFET seo le voltas tiarna-foinse de 120V agus le reatha tiarna Leanúnach de 120A ag 25°C, le Rds On íseal de 4.1mΩ, ag déanamh sé oiriúnach do iarratais athraithe cumhachta ard. Dearadh é le pacáiste TO-220-3 chun suiteáil éasca agus feidhmíocht iontaofa a sholáthar.
Ar iarratais cén cineál tá an MOSFET 120V 120A seo oiriúnach?
Is é seo an MOSFET idéalach do chonvertóirí cumhachta, trealamh mótair, agus ciorruithe athraithe le trealamh faoi chantartas ard ina bhfuil bainistíocht cumhachta éifeachtach agus feidhmíocht theirmeach tábhachtach. Dearadh láidir é a chinntíonn solidúlacht i gcórais le hiarratais dian.
An bhfuil an MOSFET N-Channel seo comhoiriúnach le dearadh leictreonacha atá ann cheana féin?
Tá, tá sé comhoiriúnach leis leibhéil gardaí gaiste stáit agus tá tosca gaiste 4V aige, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach do sholáthraí cumhachta athraithe difriúil agus córasach i gcóras éileamh inmheánach.
Cén tairbhe atá sa roghnú a dhéanamh ar shraith MOSFET OptiMOS™ Infineon?
Tá MOSFETs OptiMOS™ ar eolas as a Rds On íseal, éifeachtúlacht ard agus feidhmíocht theirmeach den scoth, rud a chabhraíonn le laghdú ar chaiteachas cumhachta agus le feabhsú ar iontaofacht an chóras iomláin.
Cén cineál barántas agus tacaíocht atá ar fáil don táirge MOSFET seo?
Mar táirge gníomhach agus Comhlíonann RoHS3, tá tacaíocht ón monarcha agus dearbhú caighdeánachta ag an MOSFET. Soláthraítear é díreach ó stoc, agus ráthaíonn sé ar fáil go tapa do do thionscadail.
Árachas Cáilíochta (QC)
DiGi cinnteoidh cáilíocht agus authentiacht gach comhpháirt leictreach trí iniúchtaí gairmiúla agus sampláil bhanda, ag ráthú soláthar iontaofa, feidhmíocht chobhsaí, agus cloí le sonraíochtaí teicniúla, ag cabhrú le custaiméirí rioscaí slabhra soláthair a laghdú agus comhpháirteanna a úsáid go muiníneach sa táirgeadh.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
